SiC或成先进封装新宠！AI芯片散热难题催生材料革命
随着AI芯片功率密度暴增，传统硅中介层已难以满足散热需求。行业巨头英伟达和台积电正积极布局碳化硅（SiC）在CoWoS先进封装中的应用，预计2027年前实现技术突破。SiC材料热导率是硅的3倍以上，能有效解决局部热点问题，助力算力提升。
中国市场迎来重大机遇：
天岳先进已成为全球第二大SiC衬底供应商
晶盛机电实现12英寸SiC衬底加工全线国产化
晶升股份设备获下游客户认可并向台积电送样
三安光电通过合资模式加速国际化布局
预计到2030年，全球CoWoS产能需求将达337万片，其中70%或采用SiC中介层，潜在市场规模巨大。这一技术变革将重塑第三代半导体产业格局，中国企业凭借产能和成本优势有望抢占先机。
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