算力带动存力：存储芯片产业及厂商全景梳理

一. 存储分类

存储是电子系统中用于保存、读取数据的硬件载体；按掉电后数据是否保留，分为RAM、ROM两大类。

1.1 随机存取存储器（RAM，易失性）

特点：依赖持续供电，掉电后数据丢失；读写速度快，适配系统临时数据缓存与高速计算。

（1）SRAM（静态RAM）：无需周期性刷新、密度低、读写速度极快，主要用于CPU缓存。

（2）DRAM （动态RAM）：需周期性刷新、密度高、速度较快，主要用于计算机、服务器主存。

1.2 只读存储器（ROM，非易失性）

特点：断电后数据保留，读写速度较慢，适配数据持久化存储。

（1）NOR Flash：支持芯片片上执行，读取速度快，容量偏小，主要用于代码存储。

（2）NAND Flash：存储密度大，擦写效率高，主要用于固态硬盘等大容量存储。

二. 两大主流存储颗粒

2.1 DRAM（内存）

DRAM是系统内存的绝对主流，针对不同场景优化带宽、功耗、体积等参数，主要包括：

（1）DDR SDRAM（标准DDR）：通用型标准，用于计算机、服务器；当前主流DDR5。

（2）LPDDR（低功耗DDR）：针对移动设备优化、低功耗，用于手机、平板、可穿戴设备；当前主流LPDDR5。

（3）GDDR（图形DDR）：针对图形渲染优化，用于显卡显存；当前主流GDDR7。

（4）HBM（高带宽内存）：针对高带宽并行计算优化，用于AI训练/推理场景；当前主流HBM4。

2.2 NAND Flash（闪存）

NAND Flash是大容量存储的绝对主流，读写性能优异、容量大、成本低；主要用于固态硬盘、嵌入式存储等场景。

按存储单元比特数分为四大类：SLC（1bit/单元，成本最高也最耐用）、MLC、TLC、QLC（4bit/单元，容量大但寿命较短）。

按架构分为两大类：2D NAND（平面结构，容量上限低）、3D NAND（通过垂直堆叠来突破密度极限，可超200层）。

三. 集成化载体：存储模组

存储模组是将存储颗粒（DRAM/NAND Flash）、主控芯片、被动元件、PCB、接口等部件经集成封装后的模块化产品，实现即插即用功能。

3.1内存模组（内存条）

以DRAM颗粒为核心，分为UDIMM（台式机）、SODIMM（笔电）、RDIMM/LRDIMM（服务器）。

3.2闪存模组

以NAND Flash颗粒为核心，主要包括：

（1）固态硬盘（SSD）：容量大、读写速度快，用于计算机、服务器。

（2）嵌入式存储：如eMMC、UFS，体积小、功耗低，用于汽车电子、物联网设备、手机、平板。

（3）移动存储：如U盘、SD卡，便携可插拔。

四. 产业链厂商

4.1 存储IDM原厂

（1）DRAM：三星、SK海力士、美光、长x。

（2）NAND Flash：铠侠、西部数据、长j。

4.2 存储芯片设计

（1）内存（DRAM）：兆易创新、北京君正、澜起科技。

（2）闪存（NAND/NORFlash）：东芯股份、普冉股份、恒烁股份。

4.3 存储模组（第三方）

（1）海外：金士顿、闪迪、威刚、十铨、博帝、宜鼎。

（2）国内：江波龙、佰维存储、香农芯创、德明利、协创数据。