光刻技术的突破点，我觉得有几个方向。从光源角度看，极紫外（EUV）光源还有很大提升空间。现在EUV光刻能实现7纳米甚至更小制程，但光源功率和稳定性还需加强。像ASML的EUV光刻机，功率提升一直是研发重点，更高功率能提高光刻效率。
材料方面也关键。光刻胶质量影响光刻精度，新型光刻胶的研发能让光刻线条更精细。比如日本在光刻胶领域领先，他们不断研发出适配先进制程的光刻胶。另外，光学系统的优化，减少像差等问题，也是突破光刻技术的重要方向，能让光刻图案更精准。