万益资讯网

长鑫科技登陆科创板,冲击A股市值第一难度极大 国产DRAM龙头长鑫科技7月16日

长鑫科技登陆科创板,冲击A股市值第一难度极大
国产DRAM龙头长鑫科技7月16日开启新股申购,295亿募资规模位居A股科技IPO前列,上半年净利润最高预增超25倍,亮眼业绩让市场热议其能否登顶A股市值榜首。综合基本面、估值逻辑、行业周期来看,上市稳坐科创板市值一哥基本确定,但短期超越工行、建行2.59万亿市值天花板概率极低。
从业绩数据看,公司盈利爆发力十分惊人,一季度营收508亿、净利330亿,上半年净利润区间500-570亿元,市场预估全年净利润有望冲击千亿。海外存储巨头美光、三星、海力士当前TTM市盈率约20倍,乐观测算千亿利润匹配20倍估值,对应市值2万亿;若市场情绪火热给到30倍溢价,市值或触碰3万亿,纸面测算足以超越两大国有银行。但这套估值推演存在明显逻辑漏洞,市场忽略了周期股与成长股的定价差异。
海外存储企业20倍PE是行业景气中段定价,且三星、美光拥有成熟HBM高端产品线、全球70%以上市场份额,长鑫当前全球DRAM市占率仅8%,HBM技术与海外三巨头存在代差,高端高毛利产品暂无法大规模出货,利润高度依赖普通DRAM涨价红利。一旦2027年后海外大厂新增产能释放、消费电子需求走弱,业绩会快速回落,周期股很难长期维持20倍以上高估值,机构保守合理估值仅1.2-1.5万亿。
对标当前A股市值格局,工行、建行稳定保持2.59万亿市值,具备永续现金流、稳定分红、低波动防御属性,是长线资金底仓配置标的。反观长鑫科技业绩随存储价格剧烈波动,资本开支需求庞大,295亿募资全部用于产线扩建,后续仍持续大额烧钱扩产,资金属性偏短线博弈,机构资金很难给予高于国有大行的长期估值。即便上市首日半导体板块情绪爆炒,短期冲高至2.6万亿上方,也缺乏基本面支撑,估值回调是必然结果。
确定性较强的是,长鑫将轻松超越1.48万亿的中芯国际,成为科创板市值新龙头。IPO资金将全面用于晶圆产线升级与产能扩张,持续缩小与海外厂商份额差距,国产替代长期成长逻辑清晰。但不可忽视行业核心风险:存储芯片周期性无法彻底消除,当前利润属于周期峰值,高基数下明年业绩高增长难以延续;HBM赛道短板明显,高端算力存储短期无法贡献可观利润,估值长期存在压制。
总结来看,AI驱动的存储超级周期给足上市估值溢价,长鑫短期存在脉冲式冲高机会,但想要稳定坐稳A股第一市值,需要景气周期持续至2028年后、HBM业务实现大规模盈利双重条件同时兑现,短期并不具备现实基础。普通投资者需区分短期情绪炒作与长期价值,切勿单纯依靠峰值利润线性外推市值空间。