力积电+美光+国内存储产业链｜投资要点简版

一、核心事件（2026-07-14 法说会）

1. 代工调价：7月起存储晶圆代工上调45%（年内第二次提价）、成熟逻辑代工涨10–15%；Q3逻辑订单达产能1.4倍，存储新产能11月投产，存储业务Q2已占营收50%+

2. DRAM技术线

◦ OneX（自研）：6月小批量试产，推进良率&客户认证

◦ OneP（与美光联合1β）：2027Q1设备进场、2028年中量产；美光PWF后端代工2026Q4试产、2027Q4量产（月规划2万片）；8Hi WoW堆叠良率>90%

3. 财务&战略：H1营收975.93亿新台币（+40%）、毛利率20%；目标转型3D AI Foundry，内存/逻辑/先进封装各占20–30%

二、行业景气逻辑（AI驱动超级周期）

• 供给端：三星/海力士/美光优先产能转向HBM，通用DRAM收缩；供需缺口延续至2027年，2028年中才有望显著缓解

• 价格端：TrendForce预测Q3 DRAM合约+13–18%、NAND+10–15%；现货涨幅更大，2026全年DRAM/NAND涨幅普遍120–250%

• 需求端：AI服务器单机DRAM搭载量为传统服务器10倍+，2026年AI相关DRAM需求占比>53%；云厂商签订3年长协锁产能

三、产业链受益标的（分环节）

1️⃣ 上游晶圆/代工（全球）

• 力积电（PSMC）：ASP逐季上行、存储占比提升、OneX/OneP+HBM代工双轮驱动；目标2027年毛利率>40%

• 联电/世界先进：成熟制程+存储代工同步提价，受益供需紧平衡

• 美光（MU）：与力积电绑定先进DRAM+PWF后端，HBM+利基DRAM双线涨价

2️⃣ 国内存储原厂（核心成长）

• 长鑫存储（DRAM）：产能爬坡加速、受益利基DRAM涨价+AI服务器导入；IPO预期强化估值

• 长江存储（NAND）：232层/288层放量、消费+企业级SSD提价，国产替代加速

3️⃣ 国内模组&封测&配套（业绩兑现最强）

• 江波龙（301308）：2026H1预增622–743倍（92–110亿净利）；自研主控+封测+AI存储放量

• 佰维存储/深科技/兆易创新：利基DRAM、NOR、消费级SSD涨价传导

• 通富微电/长电科技：HBM/DRAM先进封装需求爆发

• 太极实业/华海清科：存储设备、清洗、测试环节受益扩产

4️⃣ AI存储&HBM（长期主线）

• HBM供应链：美光/三星/海力士+国内封测（长电/通富）、中介层/CoWoS配套

• 端侧AI存储：江波龙、佰维等AI PC/手机SSD+内存模组放量

四、关键催化&风险提示

✅ 催化

1. Q3–Q4存储合约价继续上调、力积电涨价红利兑现

2. OneX/OneP良率突破、美光PWF代工落地

3. AI服务器出货高峰、长鑫/长江存储扩产+IPO进展

4. 8Hi WoW/2.5D封装大厂认证加速

⚠️ 风险

1. AI资本开支不及预期、消费电子砍单拖累需求

2. 2027年后长鑫/海外新产能集中释放、价格见顶回落

3. 地缘摩擦、设备/材料供应链受限

五、一句话盘前要点

力积电45%存储代工涨价印证本轮AI存储超级周期强韧性，从上游晶圆代工→原厂→模组→封测形成全产业链利润重估；短期看合约价兑现、中期看HBM+先进DRAM迭代、长期看国产存储份额提升，优先布局业绩已兑现+AI存储弹性标的。