六氟化钨之后可能会被关注的另外四种材料一、碳化硅（SiC）‑第三代半导体1. 天岳先进（688234）：碳化硅衬底龙头，8英寸导电型衬底实现量产，供货新能源汽车、光伏逆变器头部厂商，半绝缘型衬底面向射频芯片，产业链壁垒最高。2. 露笑科技（002617）：布局6‑8英寸碳化硅衬底，导电型产能持续扩张，功率器件客户稳定。3. 晶盛机电（300316）：设备+衬底双线布局，碳化硅外延片产能规模靠前。二、氮化镓（GaN）‑第三代半导体1. 三安光电（600703）：IDM一体化企业，覆盖氮化镓外延、芯片制造，产品用于快充、5G射频、车载电源，同时布局氧化镓材料，横跨三类化合物半导体。2. 华润微（688396）：硅基氮化镓功率器件龙头，工业电源、车规级氮化镓模块已经批量交付。3. 闻泰科技（600745）：旗下安世半导体，氮化镓功率器件海外出货量大。三、石墨炔（碳基新材料）1. 中国宝安（000009）：子公司贝特瑞布局石墨炔相关碳材料，在储能、半导体电极方向开展研发。2. 中科电气（300035）：新型碳材料研发，涉及石墨炔前沿技术研究。注：石墨炔整体处于实验室阶段，上市公司大多属于前沿布局，产业化进度最慢。四、氧化镓（Ga₂O₃）‑第四代超宽禁带半导体1. 南大光电（300346）：MO源（合成氧化镓核心前驱体）龙头，三甲基镓实现量产，上游原材料卡位优势明显。2. 中瓷电子（003031）：布局氧化镓外延片与功率器件，依托氮化铝陶瓷封装技术，加速器件产业化。3. 蓝晓科技（300487）：高纯金属镓提取技术领先，为氧化镓提供上游金属原料。

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