当台积电盯着EUV时，我们用三台老式光刻机“叠”出了5nm芯片。 把一张电路图拆成三份，分三次刻在同一块硅片上——这就是“多重曝光”的野蛮操作。 良率低、成本高，但绕开了EUV封锁。 中芯国际的工程师在黄光区一站就是18个小时，调试掩膜版的对准精度。 差0.1纳米，整片晶圆报废。 现在14nm产线每天吞吐一万片，7nm进入风险试产。 上海微电子的双工件台已经通过验收，光源系统在长春突破。 工信部的文件直接写：2027年前实现EUV国产化。 张江的工厂夜里十点仍亮着灯。 测量机发出蜂鸣，屏幕上跳出5nm的验收参数。 老工程师摘下防尘帽，对徒弟说：“记住，今天是我们用笨办法，为明天铺好了聪明路。 ” 突破从不在聚光灯下发生，而在显微镜照不到的地方生根。
