氮化镓射频芯片:中国芯片突围的“隐形冠军”?氮化镓(GaN)凭高频、高功率、耐高

趋势投掌门 2026-01-20 00:02:35

氮化镓射频芯片:中国芯片突围的“隐形冠军”?氮化镓(GaN)凭高频、高功率、耐高温优势,成为5G基站、军工雷达、卫星通信的核心器件。国内已实现关键突破:西电科大将微波功率器件功率密度提升30%-40%,三安光电6英寸产线稳定量产,华润微8英寸硅基氮化镓产线落地,捷捷微电车规级器件通过认证,应用向新能源汽车延伸。但隐忧仍在:高端器件良率、可靠性与国际巨头有差距,核心设备与上游材料仍存“卡脖子”风险,产业链需体系化打磨。展望未来,6G、低轨卫星、AI服务器、自动驾驶带来爆发式需求,为国产替代提供换道超车窗口。从政策驱动到技术驱动,从单点突破到生态共建,氮化镓射频芯片有望成为中国半导体突围的“硬核力量”。股票

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