三星公布全球首款 HBM5 内存原型产品，引入了 Exynos 2600 芯片采用的 HPB 技术，采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM， I/O 通道提升至 4096-bit，以 16-Hi (16 层) 堆叠为标准，预期每个堆叠的带宽将提升至 4 TB/s。

HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推向市场，三星又要赚麻了，押注下一代 AI 存储市场。