据韩国媒体报道，中国长鑫存储目前正在合肥测试一条用于“键合DRAM”（bonded DRAM）的试验生产线，旨在无需使用EUV光刻技术的情况下实现高性能DRAM的生产。

“键合DRAM”是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造，随后进行键合的技术。该方案仅利用DUV光刻结合多重曝光（multi-patterning）技术，即可生产超高密度的DRAM，从而无需依赖EUV光刻设备。三星电子正通过“B1b”项目开发自有的键合DRAM技术，SK海力士也在推进类似技术。然而，韩国媒体指出，有评估认为，无论是在技术本身还是研发进度方面，长鑫存储目前可能都已领先于其韩国竞争对手。