韩媒：长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合DRAM中试生产线，目标是实现无需使用EUV光刻的高性能DRAM。
键合DRAM是一种将存储单元阵列和外围电路分别在不同晶圆上制造，再通过键合工艺整合在一起的技术。这种方法仅通过深紫外光（DUV）光刻结合多重图案化技术，就能生产超高密度DRAM，从而摆脱对EUV设备的依赖。
三星电子正在推进代号为"B1b"的自有键合DRAM项目，SK海力士也在开发类似技术。但韩媒警告称，有评估认为长鑫存储目前在技术本身和研发进度上，可能都已领先于韩国竞争对手。
韩媒：长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合DRAM中试生产线，目标是实现无需使用EUV光刻的高性能DRAM。
键合DRAM是一种将存储单元阵列和外围电路分别在不同晶圆上制造，再通过键合工艺整合在一起的技术。这种方法仅通过深紫外光（DUV）光刻结合多重图案化技术，就能生产超高密度DRAM，从而摆脱对EUV设备的依赖。
三星电子正在推进代号为"B1b"的自有键合DRAM项目，SK海力士也在开发类似技术。但韩媒警告称，有评估认为长鑫存储目前在技术本身和研发进度上，可能都已领先于韩国竞争对手。
