据了解，大陆7nm制程已取得实质性突破。台积电前资深研发负责人杨光磊指出，若无梁孟松团队的技术攻关，中芯国际或仍停留于28nm阶段。当前3nm工艺受外部限制，研发面临现实壁垒。国内工程师整体能力在提升，但与全球顶尖水平仍有客观差距，实战经验丰富的领军人才是关键支撑。

时间倒回2017年梁孟松加入中芯国际之前，大陆晶圆代工的处境远比外界想象的艰难。彼时中芯国际虽然已经宣布28nm工艺进入设计定案阶段，但良率始终徘徊在低位，迟迟无法实现大规模稳定量产，生产成本居高不下，根本无力和台积电、联电等成熟厂商正面竞争。更棘手的是，14nm FinFET工艺的研发进展缓慢，和全球一线厂商的技术差距正在越拉越大。

梁孟松的到来，直接为中芯国际按下了技术迭代的加速键。加入初期，他首先带队攻坚28nm工艺的良率痛点，只用了不到一年时间，就将28nm制程的良品率提升至85%以上，彻底打通了成熟制程大规模量产的堵点，让中芯国际第一次在主流制程上拥有了市场竞争力。

紧接着，他又将全部精力投入14nm FinFET工艺的研发。仅仅用了300天，团队就攻克了14nm工艺的核心技术难关，将量产良率提升至95%的业界主流水平，直接追平了行业一线厂商的量产标准。这样的速度，在全球半导体发展史上都堪称罕见。

要知道，台积电从28nm迭代到14nm，前后花了近四年时间；三星凭借着巨额资金和产业链优势，也用了三年多。而梁孟松带领团队，用别人三分之一甚至更短的时间，走完了同样的技术跨越。更惊人的成绩还在后面。

从2017年到2020年的三年时间里，他带着2000多人的研发团队，一口气完成了从28nm、14nm、12nm、N+1到 7nm共五个世代的技术开发。这是一般半导体公司需要花十年以上才能走完的技术路径。这份成绩不是外界的溢美之词，而是梁孟松在2020年的公开辞呈中明确提到的事实。

他在信中写道，三年多时间里几乎从未休假，哪怕在2019年身体遭遇危险的时刻，也没有放下研发工作。最终交出的答卷，是28nm、14nm、12nm及N+1技术全部进入规模量产，7nm技术开发完成，随时可以进入风险量产阶段。

如今中芯国际的N+2工艺，也就是业界公认的7nm级别制程，已经实现稳定量产，支撑起了国产高端手机芯片、服务器芯片的生产需求。整个过程没有用到最顶尖的EUV光刻机，完全依靠DUV设备的多重曝光技术实现，本身就是半导体工程史上的一次突破。也正是这份成绩，让美国商务部专门启动相关调查，从侧面印证了这次技术突围的含金量。