长鑫也在做堆叠4F2的路线了。

4F²是一种DRAM存储单元的极限面积表示法，指每个位单元仅占2F×2F的面积，通过把源极、栅极、漏极由水平排布改为垂直堆叠来实现，比传统6F²节省约30%芯片面积。4F²的垂直单元结构正是3D DRAM的核心构建方式，它是平面DRAM向垂直化发展的关键技术，被视为水平微缩走到极限后的突破口。

据韩国媒体报道，中国长鑫存储(CXMT)目前正在合肥测试一条键合DRAM(bonded DRAM)试点生产线，旨在不使用EUV光刻技术的情况下实现高性能DRAM。

键合DRAM是一种将存储单元阵列和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后将其键合在一起的技术。这种方法仅使用深紫外(DUV)光刻结合多重曝光技术即可生产超高密度DRAM，从而摆脱了对EUV设备的依赖。

三星电子正在通过“B1b”项目开发自己的键合DRAM，而SK海力士也在研发类似技术。然而，韩国媒体警告称，有评估认为长鑫存储目前在技术本身和研发速度上，可能都领先于其韩国竞争对手。